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日本KEM京都電子 放射率計(jì) S AERD

更新時(shí)間:2025-11-14      瀏覽次數(shù):73

一、 核心功能與工作原理

  1. 功能: 直接、快速地測(cè)量固體材料在特定溫度、特定波長(zhǎng)下的法向全發(fā)射率。

  2. 工作原理: 它基于 “能量比較法"。

    • 儀器內(nèi)部有一個(gè)已知溫度和高發(fā)射率的黑體參考源

    • 測(cè)量時(shí),儀器會(huì)交替接收來(lái)自樣品表面和內(nèi)部黑體參考源的紅外輻射能量。

    • 通過(guò)精確比較樣品輻射能量與黑體參考源輻射能量的比值,儀器直接計(jì)算出樣品在該條件下的發(fā)射率值。

二、 在半導(dǎo)體制造及相關(guān)領(lǐng)域的應(yīng)用

雖然S-AERD本身是一個(gè)用于實(shí)驗(yàn)室研究和質(zhì)量控制的測(cè)量?jī)x器,而非生產(chǎn)線上的在線傳感器,但它的數(shù)據(jù)對(duì)半導(dǎo)體工藝開發(fā)至關(guān)重要:

  1. 為輻射溫度計(jì)提供精確的發(fā)射率數(shù)據(jù)

    • 在使用HORIBA IT-545等輻射溫度計(jì)時(shí),為了從測(cè)量的輻射信號(hào)中計(jì)算出真實(shí)的溫度,必須知道被測(cè)物體表面的發(fā)射率。如果發(fā)射率設(shè)置不準(zhǔn)確,測(cè)溫結(jié)果就會(huì)有系統(tǒng)誤差。

    • S-AERD可以預(yù)先精確測(cè)量各種工藝條件下硅片、金屬薄膜(如TiN, W)、介質(zhì)薄膜(如SiO?, Si?N?)等的發(fā)射率,并將這些數(shù)據(jù)輸入溫度計(jì)或工藝配方中,確保在線測(cè)溫的準(zhǔn)確性。

  2. 新材料與新工藝的開發(fā)

    • 在開發(fā)新的RTP、退火、CVD工藝時(shí),晶圓表面的薄膜結(jié)構(gòu)和成分會(huì)發(fā)生變化,導(dǎo)致其發(fā)射率也隨之改變。

    • 使用S-AERD可以系統(tǒng)地研究這些變化,建立“工藝條件-表面狀態(tài)-發(fā)射率"的數(shù)據(jù)庫(kù),為工藝建模和優(yōu)化提供關(guān)鍵參數(shù)。

  3. 質(zhì)量控制與故障分析

    • 如果一批晶圓的薄膜厚度或均勻性出現(xiàn)偏差,其發(fā)射率也會(huì)不同??梢酝ㄟ^(guò)抽樣測(cè)量發(fā)射率來(lái)間接監(jiān)控薄膜質(zhì)量。

    • 當(dāng)在線溫度測(cè)量出現(xiàn)異常時(shí),可以用S-AERD來(lái)驗(yàn)證晶圓樣品的發(fā)射率是否偏離預(yù)期,幫助診斷問(wèn)題根源。

三、 S-AERD的主要特點(diǎn)與技術(shù)優(yōu)勢(shì)

  1. 直接測(cè)量發(fā)射率: 與間接計(jì)算方法不同,它能提供直接、客觀的發(fā)射率數(shù)值,結(jié)果更可靠。

  2. 高精度與高重復(fù)性: KEM以其高精度儀器聞名,S-AERD能夠提供可信賴的測(cè)量數(shù)據(jù),重復(fù)性良好。

  3. 寬溫和波長(zhǎng)范圍

    • 溫度范圍: 通常覆蓋室溫至較高溫度(例如1000°C或更高,具體取決于型號(hào)),可以模擬實(shí)際工藝溫度。

    • 波長(zhǎng)范圍: 可以選擇與在線輻射溫度計(jì)相匹配的測(cè)量波長(zhǎng),確保數(shù)據(jù)直接可用。

  4. 樣品適應(yīng)性強(qiáng): 可以測(cè)量各種形狀的固體樣品,只要表面能夠放入測(cè)量腔室并滿足光路要求。

  5. 用戶友好: 通常配備軟件,用于控制儀器、設(shè)置溫度曲線、采集和分析數(shù)據(jù)。

四、 與HORIBA IT-545的關(guān)系

您可以這樣理解兩者的關(guān)系:

  • HORIBA IT-545(輻射溫度計(jì)): 是生產(chǎn)線上用于 “實(shí)時(shí)監(jiān)控溫度" 的“眼睛"。它需要發(fā)射率這個(gè)關(guān)鍵參數(shù)才能正確工作。

  • KEM S-AERD(放射率計(jì)): 是實(shí)驗(yàn)室里用于 “精確標(biāo)定發(fā)射率" 的“標(biāo)尺"。它為IT-545這樣的“眼睛"提供精確的“視力校正參數(shù)"。

工作流程通常是
在工藝開發(fā)階段,使用 S-AERD 測(cè)量特定工藝條件下(特定溫度、特定薄膜)的晶圓發(fā)射率 → 將測(cè)得的發(fā)射率值設(shè)定到生產(chǎn)設(shè)備上的 IT-545 溫度計(jì)中 → IT-545在量產(chǎn)時(shí)利用這個(gè)正確的發(fā)射率值,實(shí)現(xiàn)對(duì)晶圓溫度的精確、無(wú)損測(cè)量。

總結(jié)

日本KEM的 S-AERD放射率計(jì) 是一款高精度的實(shí)驗(yàn)室分析儀器,它是實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體制造中高精度非接觸測(cè)溫的基石。通過(guò)為輻射溫度計(jì)提供可靠的發(fā)射率數(shù)據(jù),它間接確保了RTP、退火等關(guān)鍵熱工藝的均勻性、重復(fù)性和良率。在追求極的致工藝控制的先進(jìn)半導(dǎo)體制造中,對(duì)材料基礎(chǔ)物性(如發(fā)射率)的深刻理解和精確測(cè)量是不的可的或的缺的一環(huán)。


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